미국 특허 1200건⋯삼성SDI ‘프리즘스택’ 기술장벽 더 높인다
삼성SDI가 각형 배터리 경쟁력을 소재뿐 아니라 셀 내부 구조와 제조공법으로 확대하고 있다. 양극·음극·분리막을 층층이 쌓는 독자 스태킹 공법을 기반으로 공간 활용도를 높이고 부품과 내부 저항을 줄여 에너지 밀도와 급속충전, 안전성을 동시에 끌어올리는 ‘프리즘스택(PrismStack)’이 핵심이다. 프리즘스택의 첫 번째 강점은 공간 효율이다. 삼성SDI는 양극과 음극, 분리막을 각형 캔 내부...
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삼성SDI가 각형 배터리 경쟁력을 소재뿐 아니라 셀 내부 구조와 제조공법으로 확대하고 있다. 양극·음극·분리막을 층층이 쌓는 독자 스태킹 공법을 기반으로 공간 활용도를 높이고 부품과 내부 저항을 줄여 에너지 밀도와 급속충전, 안전성을 동시에 끌어올리는 ‘프리즘스택(PrismStack)’이 핵심이다. 프리즘스택의 첫 번째 강점은 공간 효율이다. 삼성SDI는 양극과 음극, 분리막을 각형 캔 내부 형상에 맞춰 적층해 빈 공간을 줄였다. 내부 부품 수도 줄여 부품이 차지하던 공간에 양극·음극 활물질을 추가로 배치했다. 같은 크기의 셀에서
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